Mỹ công bố khoản tài trợ không hoàn lại trị giá 6,6 tỉ USD cho Công ty Sản xuất Chất bán dẫn Đài Loan (TSMC) để xây dựng nhà máy sản xuất chip bán dẫn thứ 3 của công ty này tại TP Phoenix (bang Arizona, Mỹ), tờ The New York Times đưa tin hôm 8-4.
Cùng với khoản tài trợ, Mỹ cũng cho TSMC vay 5 tỉ USD cũng để xây nhà máy thứ 3 này.
Thỏa thuận trên được công bố vào ngày 7-4, dự kiến nhà máy sẽ bắt đầu sản xuất vào cuối thập niên này, tạo ra chip bán dẫn tiên tiến nhất hiện nay là 2 nm hoặc có thể tiên tiến hơn nữa.
“Các hoạt động tại Mỹ cho phép chúng tôi hỗ trợ khách hàng Mỹ một cách tốt hơn, bao gồm một số công ty công nghệ hàng đầu thế giới. Các hoạt động tại Mỹ cũng sẽ mở rộng khả năng của chúng tôi nhằm thúc đẩy những tiến bộ trong tương lai về công nghệ bán dẫn” - ông Mark Liu, Chủ tịch TSMC, cho hay.
Về phía Mỹ, Bộ trưởng Thương mại Mỹ Gina Raimondo cho biết rằng khoản đầu tư này sẽ giúp Washington bắt đầu sản xuất chip bán dẫn tiên tiến nhất, có thể sử dụng trong phát triển trí tuệ nhân tạo, điện thoại thông minh, siêu máy tính, ô tô và máy bay chiến đấu.
Mặc dù chip bán dẫn được phát minh ở Mỹ nhưng hoạt động sản xuất phần lớn đã chuyển dịch ra nước ngoài trong những thập niên gần đây. Chỉ có khoảng 10% sản lượng chip trên thế giới được sản xuất tại Mỹ.
“Đó là một vấn đề an ninh quốc gia khi chúng tôi không sản xuất bất kỳ con chip tinh vi nhất thế giới nào ở Mỹ. Bây giờ, nhờ thỏa thuận này, những con chip trên sẽ được sản xuất tại Mỹ” - bà Raimondo cho biết.
Các quan chức Mỹ cho biết rằng TSMC sẽ phải đáp ứng các mốc xây dựng và sản xuất nhất định trước khi chính quyền Mỹ thực hiện giải ngân.
Khoản đầu tư trên là một phần trong Đạo luật Khoa học và Chip mà Tổng thống Mỹ Joe Biden ký thành luật vào năm 2022. Trong đó, Washington sẽ dành 39 tỉ USD tài trợ trực tiếp, cộng với các khoản vay và bảo lãnh trị giá 75 tỉ USD, để thu hút các công ty bán dẫn xây dựng cơ sở sản xuất ở Mỹ.
Trước đó, vào các năm 2020 và 2022, TSMC đã thông báo sẽ xây dựng nhà máy sản xuất chip bán dẫn đầu tiên và thứ 2 cũng tại TP Phoenix.
