Phóng to

TTO - Tại hội thảo công nghệ chế tạo máy tính và chip xử lý A.G. Edwards được tổ chức trong ngày 1-12, Intel cho biết rằng vào đầu năm 2009 công ty sẽ bắt đầu chế tạo các loại chip xử lý trung tâm (CPU) bằng công nghệ 32 nm cực kỳ tiên tiến.

Đây không phải lần đầu tiên Intel hứa hẹn chắc chắn với mọi khách hàng và các nhà đầu tư của mình về dự án chế tạo chip xử lý 32nm vào đầu năm 2009. Những lời hứa hẹn tương tự đã được các chuyên gia nghiên cứu của Intel gián tiếp đưa ra trong suốt năm 2005. Công nghệ chế tạo chip xử lý trung tâm 32nm là một dạng kỹ thuật in vi mạch cực nhỏ mà khoảng cách giữa mỗi transitor chỉ là 32nm. Các chip xử lý trung tâm được chế tạo bằng công nghệ 32nm sẽ mỏng hơn và nhanh hơn rất nhiều lần so với các chip được chế tạo bằng công nghệ 130 nm và 90 nm hiện nay.

Bí quyết để chế tạo nên dạng chip 32nm chủ yếu nằm ở công nghệ thu hẹp đường vẽ vi mạch bằng công nghệ EUV. Đây là công nghệ dùng sóng siêu âm tác động lên khí Xenon để tạo ra tia phóng xạ bước sóng 13nm có đặc tính dễ bị môi trường và các vật liệu khác hấp thụ. Để tập trung được tia phóng xạ bước sóng ngắn này thì các máy phát tia cực tím sẽ dùng các hệ thống gương đa lớp, phức tạp để phản chiếu chứ không thể dùng thấu kính như cách thông thường. Mặt nạ cho công nghệ EUV được chế tạo bằng quy trình EUV LLC hoàn toàn mới để tạo được bề mặt phản xạ: lớp nền được phủ bằng một lớp mỏng phân tử silicon và molybdendum. Công việc tạo khuôn trên mặt nạ có thể tận dụng lại công nghệ hiện có rồi thể hiện lên mặt nạ EUV bằng chất hấp thụ đặc biệt. Công nghệ EUV này đã được Intel thử nghiệm thành công trong năm 2005 và sẽ chính thức thương mại hóa vào năm 2009 để chế tạo nên loại chip 32nm tân kỳ.